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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIHG050N60E-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3459pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
Paket / Fall | TO-247-3 |