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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIF912EDZ-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 2x5 |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® (2x5) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK | - | 0 | Einzelheiten |