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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIE816DF-T1-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 10-PolarPAK® (L) |
Paket / Fall | 10-PolarPAK® (L) |