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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIDR626DP-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 42.8A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5130pF @ 30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8DC |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |