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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIB417EDK-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 4V |
Vgs (Max) | ±5V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-75-6L |