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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA513DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
| Leistung max | 6.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |