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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA485DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 75V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 15.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | - | 15000 | Einzelheiten |
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SIA485DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A | - | 290504 | Einzelheiten |