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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIA472EDJ-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1265pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 19.2W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |