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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA430DJ-T4-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SIA430DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-70-6 | - | 6084 | Einzelheiten |
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SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 323255 | Einzelheiten |
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SIA430DJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 332090 | Einzelheiten |
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SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6 | - | 33000 | Einzelheiten |
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SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | - | 0 | Einzelheiten |