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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI9407BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI9407BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC | - | 12500 | Einzelheiten |