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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI8824EDB-T2-E1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±5V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 4-Microfoot |
Paket / Fall | 4-XFBGA |