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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7980DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| Leistung max | 19.8W, 21.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI7980DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7980DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7983DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |