Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI7956DP-T1-E3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |