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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7922DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | - | 99000 | Einzelheiten |
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SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7925DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |