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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7913DN-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7911DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7913DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 | - | 9000 | Einzelheiten |