Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7900AEDN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 | - | 27000 | Einzelheiten |
 |
SI7900AEDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |