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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7621DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI7620DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7621DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7623DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | - | 27000 | Einzelheiten |
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SI7629DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK | - | 3000 | Einzelheiten |