SI7540DP-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
SI7540DP-T1-GE3 P1
SI7540DP-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7540DP-T1-GE3

Artikelnummer
SI7540DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI7540DP-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.6A, 5.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual

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