SI7501DN-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
SI7501DN-T1-E3 P1
SI7501DN-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7501DN-T1-E3

Artikelnummer
SI7501DN-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI7501DN-T1-E3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel, Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.4A, 4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual

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