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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7232DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| Leistung max | 23W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI7230DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7230DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7232DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8 | - | 9000 | Einzelheiten |
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SI7234DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7236DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 | - | 3000 | Einzelheiten |