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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI6467BDQ-T1-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 450µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.05W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |