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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI5997DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| Leistung max | 10.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI5997DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK | - | 0 | Einzelheiten |