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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI5905BDC-T1-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 4V |
Leistung max | 3.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |