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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI5517DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Leistung max | 8.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5515DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI5515DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5517DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | - | 12000 | Einzelheiten |