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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI5499DC-T1-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 4V |
Vgs (Max) | ±5V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |