Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI5482DU-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Single |
Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Single |