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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4965DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | - | 15000 | Einzelheiten |
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SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4965DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4965DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4966DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4966DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4967DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4967DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |