Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4946BEY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
| Leistung max | 3.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC | - | 17500 | Einzelheiten |
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC | - | 5000 | Einzelheiten |
 |
SI4946CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8 | - | 169926 | Einzelheiten |