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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4910DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Leistung max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4910DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4914BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4914BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4914DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4916DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4916DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |