SI4830CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4830CDY-T1-E3 P1
SI4830CDY-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4830CDY-T1-E3

Artikelnummer
SI4830CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI4830CDY-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
Leistung max 2.9W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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