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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI4808DY-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |