SI4563DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
SI4563DY-T1-GE3 P1
SI4563DY-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4563DY-T1-GE3

Artikelnummer
SI4563DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI4563DY-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 20V
Leistung max 3.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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