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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4511DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.2A, 4.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4511DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4511DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |