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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4388DY-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.7A, 11.3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 946pF @ 15V |
| Leistung max | 3.3W, 3.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4384DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | - | 5000 | Einzelheiten |
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SI4384DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4386DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | - | 5000 | Einzelheiten |
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SI4386DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4388DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4388DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |