Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI4276DY-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
Leistung max | 3.6W, 2.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |