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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI3981DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI3981DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI3981DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI3983DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI3983DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |