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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI3493BDV-T1-E3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43.5nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1805pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |