Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI2351DS-T1-E3 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1W (Ta), 2.1W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |