Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI2301CDS-T1-E3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |