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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI1902CDL-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
| Leistung max | 420mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI1902DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 | - | 105000 | Einzelheiten |
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SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | - | 6000 | Einzelheiten |