SI1035X-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
SI1035X-T1-E3 P1
SI1035X-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1035X-T1-E3

Artikelnummer
SI1035X-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI1035X-T1-E3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180mA, 145mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 250mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SC-89-6

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