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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRLL014TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRLL014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRLL014NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRLL014NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | 15000 | Einzelheiten | |
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IRLL014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRLL014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRLL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 7500 | Einzelheiten |
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IRLL024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 1122 | Einzelheiten | |
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IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 80000 | Einzelheiten | |
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IRLL024Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRLL024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRLL024ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 15000 | Einzelheiten |