IRFU430APBF

MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
IRFU430APBF P1
IRFU430APBF P2
IRFU430APBF P3
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IRFU430APBF P2
IRFU430APBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRFU430APBF

Artikelnummer
IRFU430APBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFU430APBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251AA
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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