IRFU210PBF

MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
IRFU210PBF P1
IRFU210PBF P2
IRFU210PBF P3
IRFU210PBF P1
IRFU210PBF P2
IRFU210PBF P3
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Siliconix ~ IRFU210PBF

Artikelnummer
IRFU210PBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IRFU210PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRFU210PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251AA
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Verwandte Produkte

Alle Produkte