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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRFSL11N50APBF |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1426pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 190W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-262-3 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |