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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFP21N60LPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 330W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 13A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFP21N60L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP21N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | - | 360 | Einzelheiten |
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IRFP22N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP22N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | - | 1100 | Einzelheiten |
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IRFP22N50APBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR 100V | - | 13182 | Einzelheiten |
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IRFP22N60C3PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP22N60K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC | - | 109 | Einzelheiten |
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IRFP23N50L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP23N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC | - | 966 | Einzelheiten |
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IRFP240 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFP240PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC | - | 2782 | Einzelheiten |