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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF820ALPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 50W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |