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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BAS282-GS18 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 30mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200nA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-80 Variant |
| Lieferantengerätepaket | SOD-80 QuadroMELF |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 125°C (Max) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 1755335 | Einzelheiten |
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BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 12000 | Einzelheiten | |
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BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS20-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |