Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BAL99-E3-18

Artikelnummer	BAL99-E3-18
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	70V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	6ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	2.5µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BAL99,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 70V 215MA SOT23		6000	Einzelheiten
BAL99-7	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAL99-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3	-	318000	Einzelheiten
BAL99-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99-G3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99-HE3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAL99E6327HTSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAL99E6433HTMA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAL99LT1	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 70V 100MA SOT23-3	-	11781	Einzelheiten