2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
2N7002E-T1-GE3 P1
2N7002E-T1-GE3 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Siliconix ~ 2N7002E-T1-GE3

Artikelnummer
2N7002E-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 2N7002E-T1-GE3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer 2N7002E-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 240mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21pF @ 5V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte